半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法
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摘要

本发明是一种半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法,该制法包括将具有至少一贯穿开孔的承载件接置在第一绝缘层上,并将至少一半导体芯片接置在该第一绝缘层上且收纳在该承载件开孔中,接着形成第二绝缘层在该承载件及芯片上,同时将第一及第二绝缘层进行压合粘着,使绝缘树脂充填入该承载板与芯片间的空隙,在该第二绝缘层上形成有电性连接到芯片的线路层,及在该第一绝缘层中形成连通到芯片的散热盲孔,协助半导体芯片将运行产生的热量逸散到外部;本发明可提供高密度及高性能的结构,能够均匀控制位于芯片及承载件上绝缘层的平整性,均匀控制位于芯片及承载件上绝缘层的平整性,提高优良率,节省成本,提高产量,提升芯片的散热效能。

基本信息
专利标题 :
半导体芯片埋入基板的三维构装结构及其制法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1971863A
申请号 :
CN200510125903.3
公开(公告)日 :
2007-05-30
申请日 :
2005-11-25
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
许诗滨
申请人 :
全懋精密科技股份有限公司
申请人地址 :
台湾省新竹市
代理机构 :
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 :
程伟
优先权 :
CN200510125903.3
主分类号 :
H01L21/50
IPC分类号 :
H01L21/50  H01L23/31  H01L23/488  H01L23/36  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2009-02-18 :
授权
2007-07-25 :
实质审查的生效
2007-05-30 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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