半导体制造装置用构件及其制法
公开
摘要
本发明提供一种具备尺寸精度高的凹形状或凸形状的晶片载置面的半导体制造装置用构件及其制法。半导体制造装置用构件(10)具备：具有凹形状的晶片载置面(22)且内置有静电电极(24)的陶瓷制的上部板(20)；经由第一金属接合层(31)接合于上部板(20)的与晶片载置面(22)相反侧的面上的中间板(30)；以及经由第二金属接合层(32)接合于中间板(30)的与接合上部板(20)的面相反侧的面上的下部板(40)。中间板(30)的热膨胀系数大于上部板(20)和下部板(40)的热膨胀系数。
基本信息
专利标题 ：
半导体制造装置用构件及其制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628308A
申请号 ：
CN202111499114.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
竹林央史伊藤丈予
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
陈彦
优先权 ：
CN202111499114.1
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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