晶片支撑构件及利用其的半导体制造装置
专利权的终止
摘要

本发明提供一种在保持真空密封性的同时,使放置面上所形成的导电层和大气侧的供电端子之间进行高信赖性的电连接,简单且实用的晶片支撑构件。此晶片支撑构件,包括:具有以一方的主面作为放置晶片的放置面,并且从上述一方的主面贯通至另一方的主面的贯通孔的板状陶瓷体;和设置于上述放置面的导电层;和与上述导电层相连接的设置在上述贯通孔的内表面的连接导电层;和与上述连接导电层相连接的埋设在上述板状陶瓷体内的埋设导电层;和具有一端和另一端,在上述一端的附近与上述埋设导电层相连接,并且另一端从上述陶瓷体的另一方的主面突出,被设置在远离上述板状陶瓷体的上述贯通孔的位置上的通电端子。

基本信息
专利标题 :
晶片支撑构件及利用其的半导体制造装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1779940A
申请号 :
CN200510118052.X
公开(公告)日 :
2006-05-31
申请日 :
2005-10-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
井之上博范
申请人 :
京瓷株式会社
申请人地址 :
日本京都府
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
朱丹
优先权 :
CN200510118052.X
主分类号 :
H01L21/683
IPC分类号 :
H01L21/683  H01L21/00  H01L21/67  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-10-12 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/683
申请日 : 20051026
授权公告日 : 20080102
终止日期 : 20201026
2008-01-02 :
授权
2006-07-26 :
实质审查的生效
2006-05-31 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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