半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件
专利权的终止
摘要
本发明揭示一种半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件，在半导体基板上具有多个半导体元件及分割区域，在所述半导体基板的内部具有改质区域，在分割区域的至少一部分具有分割引导图形，利用所述分割引导图形对以所述改质区域为起点所产生的裂口进行引导。
基本信息
专利标题 ：
半导体晶片及半导体器件的制造方法以及半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819159A
申请号 ：
CN200610005974.4
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
隈川隆博内海胜喜松岛芳宏松浦正美
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
沈昭坤
优先权 ：
CN200610005974.4
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L21/301 H01L21/78 B23K26/38 B28D5/00
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2014-03-12 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101578342394
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2006100059744
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20110928
终止日期 : 20130120
号牌文件序号 : 101578342394
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2006100059744
申请日 : 20060120
授权公告日 : 20110928
终止日期 : 20130120
2011-09-28 ：
授权
2007-12-05 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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