半导体器件
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
本发明涉及一种半导体芯片(100)，包括逻辑单元和模拟单元(153)。而且，该半导体芯片(100)包括硅衬底(101)；在硅衬底(101)上形成的第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)；以及由在第一绝缘膜(123)至第六绝缘膜(143)中掩埋的第一导电环(125)至第六导电环(145)构成的环形密封环(105)，环形密封环(105)包围逻辑单元和模拟单元(153)的周边。在密封环区(106)中，形成用作非导电部件(104)的pn结，其阻挡从逻辑单元通过密封环(105)到模拟单元(153)的路径中的导电。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101355059A
申请号 ：
CN200810144562.8
公开（公告）日 ：
2009-01-28
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中柴康隆
申请人 ：
恩益禧电子股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
关兆辉
优先权 ：
CN200810144562.8
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2017-12-29 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : H01L 23/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本东京
2013-10-16 ：
授权
2009-03-25 ：
实质审查的生效
2009-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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