密封环拐角设计
专利申请权、专利权的转移
摘要

一种用于集成电路器件的技术,该集成电路器件包括衬底、有源电路区域以及电介质层。密封环环绕有源电路区域。集成电路的至少一个拐角区域包括多个拐角条组。所述多个拐角条组的每个被定向在大约预定角度,并且从第一切片迹线向第二切片迹线延伸。在具体实施例中,如果在至少一个拐角区域中发生结构缺陷,则结构缺陷倾向于在大约所述预定角度上延伸。

基本信息
专利标题 :
密封环拐角设计
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1941366A
申请号 :
CN200510030304.3
公开(公告)日 :
2007-04-04
申请日 :
2005-09-28
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宁先捷
申请人 :
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请人地址 :
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 :
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 :
王怡
优先权 :
CN200510030304.3
主分类号 :
H01L27/02
IPC分类号 :
H01L27/02  H01L23/00  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2012-01-04 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259325594
IPC(主分类) : H01L 27/02
专利号 : ZL2005100303043
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129
2009-02-11 :
授权
2007-05-30 :
实质审查的生效
2007-04-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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