半导体器件
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
一种半导体器件，其芯片是用锡——铜合金焊料固定到引线架上的。其中第一层金属层是插置于芯片和焊料中间的。形成的第一金属层的厚度在2000A°到3μm的范围之内，是由钛、铬、钒、锆、铌中选取的一种金属，或至少包括一种上述金属的一种合金构成的。由镍、钴或至少含有一种上述金属的一种合金制备的第二金属层插置在第一层金属和焊料之间，其厚度小于第一金属层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85109419A
申请号 ：
CN85109419.8
公开（公告）日 ：
1986-06-10
申请日 ：
1985-12-27
授权号 ：
CN85109419B
授权日 ：
1988-06-08
发明人 ：
竹村百子稻叶道彦铁矢俊夫小林三男
申请人 ：
株式会社东芝
申请人地址 ：
日本神奈川县川崎市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
赵越
优先权 ：
CN85109419.8
主分类号 ：
H01L21/58
IPC分类号 ：
H01L21/58 H01L23/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58
半导体器件在支架上的安装
法律状态
2001-08-22 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1989-02-01 ：
授权
1988-06-08 ：
审定
1986-07-02 ：
实质审查请求
1986-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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