粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置
授权
摘要

本发明是粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置。本发明半导体装置制造方法包括:贴合步骤,对于依次层叠剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜构成的、粘接层有规定的第1平面形状且部分性形成于剥离基材上、粘着层层叠为覆盖粘接层且于其周围与剥离基材接触的粘接片,剥下由粘接层、粘着层及基材薄膜所成的层叠体,隔着粘接层贴于半导体晶片,得到附层叠体半导体晶片;切割步骤,切割附层叠体半导体晶片,得到规定尺寸附层叠体半导体元件;剥离步骤,以高能量射线照射粘着层,使其粘着力降低后,剥离粘着层及基材薄膜,得到附粘接层半导体元件;粘接步骤,将附粘接层半导体元件,隔着粘接层粘接于半导体元件搭载用支持部件。

基本信息
专利标题 :
粘接片及其制造方法、以及半导体装置的制造方法及半导体装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN102176407A
申请号 :
CN201110060467.1
公开(公告)日 :
2011-09-07
申请日 :
2005-09-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
田中麻衣子宇留野道生松崎隆行古谷凉士增野道夫稻田祯一
申请人 :
日立化成工业株式会社
申请人地址 :
日本东京都
代理机构 :
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 :
钟晶
优先权 :
CN201110060467.1
主分类号 :
H01L21/00
IPC分类号 :
H01L21/00  H01L21/68  H01L21/58  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
法律状态
2014-11-05 :
授权
2014-10-29 :
著录事项变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101706674995
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2011100604671
变更事项 : 申请人
变更前 : 日立化成工业株式会社
变更后 : 日立化成株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本东京都
变更后 : 日本东京都千代田区丸内一丁目9番2号
2011-11-16 :
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101131513355
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利申请号 : 2011100604671
申请日 : 20050930
2011-09-07 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN102176407B.PDF
PDF下载
2、
CN102176407A.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332