半导体器件

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

摘要

多层互连结构的机械强度和耐湿性将被增强。一种半导体器件包括半导体衬底上的电路区和围绕电路区形成的密封环区。密封环区包括多个互连层和多个通孔层，互连层包括互连线，多个通孔层包括彼此层叠的多个隙缝通孔，以及至少一个通孔层(下或中间层)中的隙缝通孔之间的间距不同于其他通孔层(上层)中的隙缝通孔之间的间距。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819158A

申请号：

CN200610002479.8

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

广井政幸

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川县

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

穆德骏

优先权：

CN200610002479.8

主分类号：

H01L23/00

IPC分类号：

H01L23/00

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

法律状态

2017-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

IPC(主分类) : H01L 23/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 瑞萨电子株式会社
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本东京

2010-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057786711
IPC(主分类) : H01L 23/00
专利号 : ZL2006100024798
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川县
变更后 : 日本神奈川县

2009-01-21 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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