具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法
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摘要
本发明涉及一种半导体晶片，其包括由n型或p型掺杂剂原子掺杂的具有一个正面和一个背面的单晶硅基体晶片，以及在该基体晶片的正面上外延沉积的层，以及电阻率低于该基体晶片的n++型或p++型掺杂的层，该层在所述外延层的下方从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内，并具有一定的厚度。本发明还涉及该半导体晶片的制造方法，其特征在于，使n型或p型的掺杂剂原子通过该基体晶片的正面引入该基体晶片内，在从该基体晶片的正面延伸进入该基体晶片内的层中的掺杂剂浓度从n+或p+级提高至n++或p++级，并在该基体晶片的正面上沉积一层外延层。
基本信息
专利标题 ：
具有外延沉积层的半导体晶片以及该半导体晶片的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1805121A
申请号 ：
CN200510129580.5
公开（公告）日 ：
2006-07-19
申请日 ：
2005-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
鲁珀特·克劳特鲍尔格哈德·许特尔安德烈·伦茨埃尔温－彼得·迈尔赖纳·温克勒
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
过晓东
优先权 ：
CN200510129580.5
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C30B25/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2010-10-13 ：
授权
2006-09-13 ：
实质审查的生效
2006-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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