在晶圆的正面上沉积外延层的装置
授权
摘要
本实用新型提供用于在具有取向切口的晶圆的正面上沉积外延层的装置，其包括用于保持和旋转具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座的机构；和由所述基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；和包括基座环的基座，所述基座环具有用于在所述晶圆的背面的边缘区域中搁置所述晶圆的支撑面和与所述支撑面相邻的所述基座环的阶式外边界，所述支撑面具有向内指向的突起部。
基本信息
专利标题 ：
在晶圆的正面上沉积外延层的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020959180.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN213538160U
授权日 ：
2021-06-25
发明人 ：
J·哈贝雷希特S·海因里希R·绍尔R·施泰因
申请人 ：
硅电子股份公司
申请人地址 ：
德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
刘佳斐
优先权 ：
CN202020959180.7
主分类号 ：
C30B25/12
IPC分类号 ：
C30B25/12 C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/12
衬底夹持器或基座
法律状态
2021-06-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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