一种晶圆沉积覆盖环
授权
摘要
本实用新型提供了一种晶圆沉积覆盖环，所述晶圆沉积覆盖环呈现闭合环状，所述晶圆沉积覆盖环的内周面、上表面和外周面均覆盖有颗粒层，所述颗粒层外侧覆盖有滚花层。本实用新型所述晶圆沉积覆盖环通过在颗粒层的基础上，进一步增加滚花层的设计，有效地增加了晶圆沉积覆盖环的吸附能力，不仅可以防止溅射下来的靶材原子掉落在晶圆上的问题，进而避免晶圆产生剥皮问题或异常放电现象，防止晶圆报废，还可以有效防止溅射下来的靶材原子掉落在物理气相沉积腔体内导致腔体被污染。
基本信息
专利标题 ：
一种晶圆沉积覆盖环
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022403622.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-26
授权号 ：
CN214271030U
授权日 ：
2021-09-24
发明人 ：
姚力军边逸军潘杰王学泽邵寅
申请人 ：
宁波江丰电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
王岩
优先权 ：
CN202022403622.2
主分类号 ：
C23C14/50
IPC分类号 ：
C23C14/50 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/50
基座
法律状态
2021-09-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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