用于OLED像素沉积的沉积掩模
公开
摘要
公开了一种沉积掩模，其包括金属板，金属板包括沉积区域和布置在沉积区域外部的非沉积区域，在非沉积区域中形成有用于拉伸金属板的开口部分和通过开口部分形成的突起部，在将金属板的短宽度限定为A并将突起部的数目限定为Y时，下面等式的Z值表示为自然数、小数或自然数加小数的值，[等式]Z＝A/(Y+Y‑1)非沉积区域包括布置在沉积区域的第一外侧部处的第一非沉积区域和布置在其第二外侧部处的第二非沉积区域，开口部分包括布置成彼此面对且布置在第一非沉积区域的端部处的第一开口部分和布置在第二非沉积区域的端部处的第二开口部分，突起部包括布置成彼此面对且布置在第一非沉积区域的端部处的第一突起部和布置在第二非沉积区域的端部处的第二突起部。
基本信息
专利标题 ：
用于OLED像素沉积的沉积掩模
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540759A
申请号 ：
CN202111422371.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白智钦
申请人 ：
LG伊诺特有限公司
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘冰
优先权 ：
CN202111422371.5
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/12 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
