掩模材料的区域选择性沉积
授权
摘要
在第一方面中，本发明涉及在半导体结构中形成腔(800)的方法，所述方法包括以下步骤：a.提供一种半导体结构，所述半导体结构包括：i.半导体基材(100)，ii.在半导体基材(100)上的一组线结构(300)，各线结构(300)具有顶表面和侧壁，所述线结构(300)通过其间的沟槽(400)隔开，以及iii.含氧介电材料(410)，其至少部分填充了线结构(300)之间的沟槽(400)，其中，至少一个线结构(300)的顶表面至少部分暴露，并且其中，顶表面的暴露部分包含无氧介电材料(320,330)；b.使TaSix层(700)相对于含氧介电材料(410)选择性形成于无氧介电材料(320,330)上；c.通过相对于TaSix(700)选择性去除至少部分含氧介电材料(410)来形成腔(800)。
基本信息
专利标题 ：
掩模材料的区域选择性沉积
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110504162A
申请号 ：
CN201910409763.4
公开（公告）日 ：
2019-11-26
申请日 ：
2019-05-16
授权号 ：
CN110504162B
授权日 ：
2022-04-12
发明人 ：
曾文德E·阿尔塔米拉诺桑切兹
申请人 ：
IMEC非营利协会
申请人地址 ：
比利时勒芬
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
蔡文清
优先权 ：
CN201910409763.4
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/336 H01L29/417 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-12 ：
授权
2021-06-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20190516
申请日 : 20190516
2019-11-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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