使用预成形掩模的选择性EMI屏蔽
公开
摘要
一种半导体封装具有基板、设置在基板之上的第一组件、沉积在第一组件之上的封装物、以及设置在封装物之外的基板之上的第二组件。金属掩模设置在第二组件之上。在半导体封装之上形成屏蔽层。在形成屏蔽层之后形成金属掩模。屏蔽层可选地形成在基板的接触焊盘上，而在形成屏蔽层时，从垂直方向延伸40度的接触焊盘上方的圆锥区域保持没有封装物和金属掩模。朝向接触焊盘定向的金属掩模和封装物的表面可以是倾斜的。可以使用拾取和放置机器来设置和去除金属掩模。
基本信息
专利标题 ：
使用预成形掩模的选择性EMI屏蔽
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114512408A
申请号 ：
CN202111048527.8
公开（公告）日 ：
2022-05-17
申请日 ：
2021-09-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李勋择金京焕H·S·李C·O·金K·H·朴J·H·郑O·关J·W·李Y·J·张
申请人 ：
星科金朋私人有限公司
申请人地址 ：
新加坡新加坡市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘茜璐
优先权 ：
CN202111048527.8
主分类号 ：
H01L21/50
IPC分类号 ：
H01L21/50 H01L23/552
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
法律状态
2022-05-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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