掩模、设置掩模的方法以及使用其设置显示面板的方法
公开
摘要
本申请涉及设置沉积掩模的方法、设置显示面板的方法和沉积掩模。设置掩模的方法包括:设置面对第二掩模层的第一掩模层；在第二掩模层中,设置对应于掩模的沉积开口的第一开口；设置辅助层，辅助层面对第一掩模层且第二掩模层位于它们之间并且覆盖第一开口；在辅助层中，设置对应于第一开口并将第一掩模层暴露于辅助层外部的第二开口；在第一掩模层中，通过使用辅助层作为掩模，设置对应于第一开口和第二开口的第三开口；以及设置辅助层与第一掩模层和第二掩模层分离，以设置具有包含第三开口的第一掩模层和包含第一开口的第二掩模层的沉积掩模。
基本信息
专利标题 ：
掩模、设置掩模的方法以及使用其设置显示面板的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114540755A
申请号 ：
CN202111313981.1
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李璱文敏浩文英慜孙智熙宋升勇任星淳
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王达佐
优先权 ：
CN202111313981.1
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/24 C23C14/54 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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