相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种相移掩模底板，即使在相移膜产生膜厚波动的情况下，也能够抑制相对于曝光光的代表波长的透射率的波动而具有所期望的高的透射率并且能够进行良好的图案转印。相移掩模底板在透明基板上具有相移膜，相移膜在曝光波长的代表波长下，透射率为30％以上且80％以下，衰减系数k为0.10以上且0.25以下，折射率n为2.20以上且2.57以下，曝光波长的代表波长处于313～436nm的范围内，代表波长在相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间，相移膜含有过渡金属和硅。
基本信息
专利标题 ：
相移掩模及其底板、相移掩模以及显示装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114545726A
申请号 ：
CN202111362078.4
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田边胜浅川敬司安森顺一
申请人 ：
HOYA株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
韩锋
优先权 ：
CN202111362078.4
主分类号 ：
G03F1/26
IPC分类号 ：
G03F1/26 G03F1/76 G03F1/56 G03F1/80
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/26
相移掩膜；PSM空白；其制备
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/26
申请日 : 20211117
申请日 : 20211117
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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