用于修补交替相移掩模的方法
专利权的终止
摘要
描述用于修补具有底切蚀刻的APSM掩模的方法。利用原子力显微镜的针尖来移除板上的缺陷上方的吸收层以及板上的缺陷的第一部分。利用电子束诱导蚀刻来移除缺陷的第二部分，该电子束诱导蚀刻包括：在缺陷的第二部分上方引入第一气体以便形成用于蚀刻缺陷的第一化学物；以及停留电子束。利用电子束诱导沉积法来在板上重建具有悬垂结构的吸收层。在板上方引入第二气体以便形成用于在板上形成不透明材料的第二化学物。使电子束停留预定时间以便诱导在板上形成该不透明材料。对于一个实施例，测量缺陷的轮廓以便控制蚀刻。
基本信息
专利标题 ：
用于修补交替相移掩模的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133362A
申请号 ：
CN200680006823.9
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-01-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
T·梁
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200680006823.9
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2019-12-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 1/72
申请日 : 20060103
授权公告日 : 20130717
终止日期 : 20190103
申请日 : 20060103
授权公告日 : 20130717
终止日期 : 20190103
2013-07-17 ：
授权
2008-04-23 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
