将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法。目前在制作具有硅化钼类(MoSiOx)膜的嵌入式相移掩模(EPSM)时，容易出现图案伸出的缺陷，但是由于扫描电镜不能清晰定义缺陷区域在石英玻璃基材上的轮廓，而使缺陷不能用聚焦离子束有效去除。通过本发明提供的将背面曝光用于嵌入式相移掩模(EPSM)聚焦离子束蚀刻的方法，可以通过负光阻背面曝光的方式准确定义出缺陷区域的轮廓，完全避免上述问题。

基本信息

专利标题：

将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101008787A

申请号：

CN200610023618.5

公开（公告）日：

2007-08-01

申请日：

2006-01-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

卢子轩

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200610023618.5

主分类号：

G03F7/20

IPC分类号：

G03F7/20 H01L21/027 G03F7/42 G03F7/26

相关图片

IPC结构图谱

G部——物理

G03

摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术

G03F

图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备

G03F7/00

图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备

G03F7/20

曝光及其设备

法律状态

2020-01-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20190125

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101259716573
IPC(主分类) : G03F 7/20
专利号 : ZL2006100236185
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市浦东新区张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111129

2009-06-10 ：

授权

2007-09-26 ：

实质审查的生效

2007-08-01 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN101008787A.PDF

PDF下载

2、

CN100498543C.PDF

PDF下载