精确定位聚焦离子束修补位置的方法

专利权的终止

摘要

本发明提供一种可以精确定位聚焦离子束修补位置的方法，主要通过光学透射显微镜配合激光标记来定位目标区域，光学透射式显微镜能够透过钝化层直接显示其下的线路结构，而传统方法中使用的聚焦离子束成像只能显示样品最外层的情况，因此本发明的方法可以更精确地定位聚焦离子束修补位置。另外本发明在涂料上作标记的激光能量较低，不会损坏样品材质。而且，所采用的涂料可以用化学试剂，例如丙酮，将涂料轻松洗去，可以反复涂抹，不会影响后续步骤。

基本信息

专利标题：

精确定位聚焦离子束修补位置的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1941276A

申请号：

CN200510030010.0

公开（公告）日：

2007-04-04

申请日：

2005-09-26

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

张启华江秀霞季春葵李冠华

申请人：

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号

代理机构：

上海新高专利商标代理有限公司

代理人：

楼仙英

优先权：

CN200510030010.0

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00 H01L21/68 H01L21/66

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

法律状态

2019-09-17 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/00
申请日 : 20050926
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20180926

2012-01-04 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101257119582
IPC(主分类) : H01L 21/00
专利号 : ZL2005100300100
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 201203 上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号
变更后权利人 : 201203 上海市张江路18号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 无
变更后权利人 : 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
登记生效日 : 20111123

2008-12-24 ：

授权

2007-05-30 ：

实质审查的生效

2007-04-04 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

文件下载

1、

CN1941276A.PDF

PDF下载