离子束植入电流、点宽与位置调校
授权
摘要
本发明揭露一种用来调校离子植入装置系统的离子束调校方法、系统以及程序产品。本发明通过例如横过植入室内的成形器扫描该离子束获得该离子束轮廓；并基于该离子束轮廓调校该离子植入装置系统使估计的植入电流最大化以同时使总离子束电流与离子束点宽最优化，从而使植入电流最大化。另外，调校也可基于该点束中心回馈将该离子束放置在其最佳路径上，这在每一离子束的很多设定过程中减少了离子束设定时间并提供可重复的束角性能，因而改善了离子植入装置系统的生产效率与性能。
基本信息
专利标题 ：
离子束植入电流、点宽与位置调校
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076875A
申请号 ：
CN200580033847.9
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-10-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张升吾安东尼勒·可雀帝约瑟·P·迪宰桔雷斯契葛列格里·R·吉本雷洛罗扎里欧·马雷卡葛桔·A·洛里斯约瑟·C·欧尔森马黎耶·J·威尔旭
申请人 ：
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 ：
美国麻萨诸塞州
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200580033847.9
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2010-09-01 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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