离子束利用的最优化
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种用于最优化离子注入的方法，其中通过离子束(110)在两维上扫描基片(105)。所述方法提供了包括如下各项中一个或多个的工艺配方：离子束电流，离子剂量，以及基片在慢扫描方向通过离子束的次数。基于所述工艺配方来确定离子束的剖面，并且确定离子束的尺寸。基于所要求的注入均匀性和工艺配方来选择在快扫描方向(142)上的多个不同扫描速度中的一个。基于如下各项中的一个或多个来控制工艺配方：所要求的均匀性，基片通过时间，所要求的最小离子束电流，以及一个或多个基片条件。基于注入的剂量来选择在慢扫描方向(144)上的多个速度中的一个。
基本信息
专利标题 ：
离子束利用的最优化
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101111926A
申请号 ：
CN200580047494.8
公开（公告）日 ：
2008-01-23
申请日 ：
2005-11-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·雷M·格雷夫
申请人 ：
艾克塞利斯技术公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
曾祥夌
优先权 ：
CN200580047494.8
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2009-12-02 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-03-12 ：
实质审查的生效
2008-01-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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