用离子束注入衬底
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明涉及一种衬底注入方法，其包含：沿着一系列在第一方向延伸的扫描线相对于衬底扫描离子束，使所述衬底与所述离子束之间产生相对旋转，沿着在不同方向的第二系列扫描线扫描所述离子束。在沿着每个方向扫描期间均改变注入配方，以便在每个扫描步骤产生不同区域。在两个扫描步骤中形成的区域相互重叠，以便在注入过程中，衬底的不同部分，根据不同配方接收不同的注入剂量。所述不同配方可产生不同掺杂剂浓度、掺杂深度或甚至不同掺杂剂种类。
基本信息
专利标题 ：
用离子束注入衬底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1841665A
申请号 ：
CN200610066038.4
公开（公告）日 ：
2006-10-04
申请日 ：
2006-03-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
A·J·默雷尔S·安德伍德M·A·福德
申请人 ：
应用材料有限公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵蓉民
优先权 ：
CN200610066038.4
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2010-08-25 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101006993037
IPC(主分类) : H01L 21/265
专利申请号 : 2006100660384
公开日 : 20061004
号牌文件序号 : 101006993037
IPC(主分类) : H01L 21/265
专利申请号 : 2006100660384
公开日 : 20061004
2008-05-21 ：
实质审查的生效
2006-10-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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