半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法

专利权的终止

摘要

一种半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法，利用硅离子注入和HF化学腐蚀剂，对硅上氧化铝薄膜进行选择性腐蚀，形成陡峭、清晰、规则的氧化铝腐蚀图形，包括如下步骤：取一半导体硅单晶衬底；在半导体硅单晶衬底上外延生长氧化铝介电薄膜；在氧化铝介电薄膜上涂光刻胶；在光刻胶上刻蚀，形成带有一定间隔的凹槽的光刻胶刻蚀图形；采用硅离子注入工艺，对凹槽下的氧化铝介电薄膜进行选择性硅离子注入；采用HF化学腐蚀工艺，对进行了硅离子注入的氧化铝介电薄膜进行选择性腐蚀，形成带有线条的图形，完成半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀。

基本信息

专利标题：

半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1979773A

申请号：

CN200510126243.0

公开（公告）日：

2007-06-13

申请日：

2005-11-30

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

王启元王俊王建华

申请人：

中国科学院半导体研究所

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

优先权：

CN200510126243.0

主分类号：

H01L21/3105

IPC分类号：

H01L21/3105 H01L21/311 H01L21/3115

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/30

用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的

H01L21/31

在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择

H01L21/3105

后处理

法律状态

2011-02-16 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101037105702
IPC(主分类) : H01L 21/3105
专利号 : ZL2005101262430
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20091230

2008-12-24 ：

授权

2007-08-08 ：

实质审查的生效

2007-06-13 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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