介电间隙填充
授权
摘要
通常，提供关于用介电材料填充间隙的实例，例如填充用于浅沟槽隔离(STI)的鳍之间的沟槽。在一个实施例中，使用原子层沉积(ALD)工艺将第一介电材料共形地沉积在沟槽中。在共形地沉积第一介电材料之后，第一介电材料被转换为第二介电材料。在进一步的实例中，第一介电材料可以共形地沉积在另一个沟槽中，并且填充介电材料可以流入其他沟槽中并被转换。本发明实施例涉及介电间隙填充。
基本信息
专利标题 ：
介电间隙填充
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110600421A
申请号 ：
CN201811608154.3
公开（公告）日 ：
2019-12-20
申请日 ：
2018-12-27
授权号 ：
CN110600421B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
彭羽筠
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹
代理机构 ：
北京德恒律治知识产权代理有限公司
代理人 ：
章社杲
优先权 ：
CN201811608154.3
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L29/78 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2020-01-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20181227
申请日 : 20181227
2019-12-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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