间隙填充沉积工艺
实质审查的生效
摘要
提供用于在群集处理系统中的基板上形成互连结构以及热处理此互连结构的方法。在一个实施方式中，用于供半导体装置的装置结构的方法包括以下步骤：于设置在基板上的材料层中所形成的开口中形成阻挡层；于阻挡层上形成界面层；于界面层上形成间隙填充层；和于基板上执行退火工艺，其中在大于5巴的压力范围下执行退火工艺。
基本信息
专利标题 ：
间隙填充沉积工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556544A
申请号 ：
CN202080071721.5
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姜浩古劳斯·贝基亚里斯埃莉卡·陈梅裕尔·B·奈克
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202080071721.5
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 C23C16/04 C23C16/08 C23C16/455 C23C16/50 C23C16/56 H01L21/02 H01L21/285 H01L21/30 H01L21/3213 H01L21/324 H01L21/67 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20200814
申请日 : 20200814
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
