用于可流动间隙填充的方法和设备
公开
摘要
根据本文的一些实施例，描述了用于薄膜的可流动沉积的方法和设备。本文的一些实施例涉及间隙填充的循环过程，其中沉积之后是热退火并重复。在一些实施例中，沉积和热退火在单独站中进行。在一些实施例中，第二模块被加热到比第一站更高的温度。在一些实施例中，热退火包括RTA。
基本信息
专利标题 ：
用于可流动间隙填充的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388402A
申请号 ：
CN202111208910.5
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉本信哉隆大小沼五十岚诚森幸博福田秀明R.H.J.沃乌尔特T.布兰夸特
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111208910.5
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/762 C23C16/34 C23C16/455 C23C16/46 C23C16/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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