用于改进间隙填充应用的高产能HDP－CVD处理
专利权的终止
摘要
本发明提供了在布置在衬底处理室中的衬底上沉积硅氧化物膜的方法。衬底具有形成在相邻突起表面之间的间隙。含硅气体、含氧气体、和流动气体流入衬底处理室中。流动气体具有小于5amu的平均分子量。由含硅气体、含氧气体、和流动气体形成第一高密度等离子体以利用第一沉积处理将硅氧化物膜的第一部分沉积在衬底之上和间隙内，第一沉积处理具有同时进行的由第一沉积/溅射比界定相对份额的沉积部分和溅射部分。由含硅气体、含氧气体、和流动气体形成第二高密度等离子体以利用第二沉积处理将硅氧化物膜的第二部分沉积在衬底之上和间隙内，第二沉积处理具有同时进行的由第二沉积/溅射比界定相对份额的沉积部分和溅射部分。第二沉积/溅射比小于第一沉积/溅射比。第一和第二沉积/溅射比中的每个都被定义为净沉积速率和覆盖溅射速率的和与覆盖溅射
基本信息
专利标题 ：
用于改进间隙填充应用的高产能HDP－CVD处理
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1819123A
申请号 ：
CN200610000511.9
公开（公告）日 ：
2006-08-16
申请日 ：
2006-01-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
齐博扬·S·李
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王安武
优先权 ：
CN200610000511.9
主分类号 ：
H01L21/316
IPC分类号 ：
H01L21/316 C23C16/52 C23C16/513
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/316
由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层
法律状态
2013-03-20 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101412118092
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006100005119
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20120109
号牌文件序号 : 101412118092
IPC(主分类) : H01L 21/316
专利号 : ZL2006100005119
申请日 : 20060109
授权公告日 : 20090429
终止日期 : 20120109
2009-04-29 ：
授权
2006-10-11 ：
实质审查的生效
2006-08-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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