用于填充间隙的方法以及相关的系统和装置
公开
摘要
公开了用于填充包括在衬底中的间隙特征的方法和相关系统。该方法包括将具有一个或多个间隙特征的衬底提供到反应室中的步骤。一个或多个间隙特征包括具有上表面的上部和具有下表面的下部。该方法还包括使衬底经受等离子体处理的步骤。因此，上表面受到抑制，而下表面基本不受影响。然后，该方法包括在下表面上选择性地沉积含硅材料的步骤。
基本信息
专利标题 ：
用于填充间隙的方法以及相关的系统和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551219A
申请号 ：
CN202111375818.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-11-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘泽铖金仙子V.波雷J.L.姚R.博鲁德B.穆克吉R.H.J.沃乌尔特堤隆嘉小林伸好堀胜
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111375818.8
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 C23C16/02 C23C16/30 C23C16/40 C23C16/455 C23C16/505
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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