离子束扫描控制方法和用于均匀注入离子的系统
授权
摘要
提供用于在离子注入系统中校准离子束扫描器的方法，该方法包括：在沿扫描方向的多个位置处测量多个初始电流密度值，其中这些值分别与多个初始电压扫描间隔中的一个对应，并且与对应的多个初始扫描时间值中的一个对应；基于测量的初始电流密度值和初始扫描时间值来建立线性方程组；以及确定与降低电流密度剖面偏差的线性方程组的解对应的一组扫描时间值。提供用于在离子注入系统中校准离子束扫描器的校准系统，该校准系统包括剂量测定系统和控制系统。
基本信息
专利标题 ：
离子束扫描控制方法和用于均匀注入离子的系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124650A
申请号 ：
CN200680001793.2
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2006-01-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
V·本维尼斯特W·迪弗吉利奥P·凯勒曼
申请人 ：
艾克塞利斯技术公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
王岳
优先权 ：
CN200680001793.2
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2010-09-01 ：
授权
2008-04-09 ：
实质审查的生效
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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