控制离子注入的方法和装置
授权
摘要
本发明公开了一种控制离子注入的方法和装置，该装置包括产生束流装置、晶片、法拉第杯、晶片驱动器、控制器、真空系统装置、真空腔体，其中产生束流装置产生一个直线束流；该束流垂直注入到晶片当中；法拉第杯检测束流值，输出一个反映束流大小的信号给控制器；晶片驱动器与控制器进行通讯，通过接受控制器传送的参数命令驱动晶片进行上下扫描；束流在传输过程中处于一个密封的真空腔体内，其真空环境则依靠真空系统装置来维持；控制器控制注入剂量。本方法用直接检测束流变化的方式为控制离子注入补偿提供依据，而不是去检测真空压力的变化，从而达到控制离子注入均匀性和剂量准确性的目的。
基本信息
专利标题 ：
控制离子注入的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101000870A
申请号 ：
CN200610000823.X
公开（公告）日 ：
2007-07-18
申请日 ：
2006-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
谢均宇
申请人 ：
北京中科信电子装备有限公司
申请人地址 ：
100036北京市海淀区复兴路乙20号汇通商务楼北门44号办公楼2层东段
代理机构 ：
北京中海智圣知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾永珠
优先权 ：
CN200610000823.X
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2009-01-28 ：
授权
2007-09-12 ：
实质审查的生效
2007-07-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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