半导体器件离子注入的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种半导体器件离子注入的方法，通过由外延硅生长的步骤将多次低能量离子注入分隔开，避免了在半导体制造过程中引入长时间高温热过程，从而也避免了离子注入分布的浓度向着非设计的发向分布、分界面产生多余电荷以及不同物质分界面断裂等问题的发生。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件离子注入的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1979767A
申请号 ：
CN200510111296.5
公开（公告）日 ：
2007-06-13
申请日 ：
2005-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈晓波
申请人 ：
上海华虹NEC电子有限公司
申请人地址 ：
201206上海市浦东新区川桥路1188号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
丁纪铁
优先权 ：
CN200510111296.5
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/20 H01L21/324
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2009-04-08 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-08-08 ：
实质审查的生效
2007-06-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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