用离子注入实现半导体器件互联的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种半导体器件互连的制造方法在半绝缘半导体材料中实现半绝缘-低电阻率导电层-半绝缘衬底结构以及器件之间的内部互连。用MeVSi+埋层注入及选择注入，然后低剂量O+注入，在半绝缘GaAs半导体中得到了SI/n+埋层结构以及n+埋层与制作在表面的器件之间的内部互连。本发明在一种新型GaAsMESFET的制作中得到实施。
基本信息
专利标题 ：
用离子注入实现半导体器件互联的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1082769A
申请号 ：
CN92109138.9
公开（公告）日 ：
1994-02-23
申请日 ：
1992-08-07
授权号 ：
CN1027778C
授权日 ：
1995-03-01
发明人 ：
韩德俊李国辉朱恩钧王琦
申请人 ：
北京师范大学
申请人地址 ：
100875北京市新街口外大街19号
代理机构 ：
首都师范大学专利事务所
代理人 ：
华明达
优先权 ：
CN92109138.9
主分类号 ：
H01L21/74
IPC分类号 ：
H01L21/74 H01L21/90
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/74
杂质高度集中的埋层的制作，例如集电极埋层、内部连接线
法律状态
1996-09-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-03-01 ：
授权
1994-02-23 ：
公开
1993-05-05 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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