单垒量子阱注入渡越时间半导体器件
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明涉及一种单垒量子阱注入渡越时间半导体器件。它是对量子阱注入渡越时间半导体器件(QWITT)的器件结构进行改进，采用单垒单阱(对主能谷为单垒，对次能谷为单阱)结构，且漂移区半导体层的厚度根据载流子饱和漂移速度和振荡频率来确定。本发明特别适于在毫米波、亚毫米波频段工作。
基本信息
专利标题 ：
单垒量子阱注入渡越时间半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067528A
申请号 ：
CN92107567.7
公开（公告）日 ：
1992-12-30
申请日 ：
1992-05-15
授权号 ：
CN1024608C
授权日 ：
1994-05-18
发明人 ：
薛舫时
申请人 ：
机械电子工业部南京第五十五研究所
申请人地址 ：
210016江苏省南京市1601信箱
代理机构 ：
江苏省专利服务中心
代理人 ：
叶立剑
优先权 ：
CN92107567.7
主分类号 ：
H01L29/88
IPC分类号 ：
H01L29/88
法律状态
2005-07-13 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-06-12 ：
其他有关事项
1996-06-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-05-18 ：
授权
1992-12-30 ：
公开
1992-12-02 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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