半导体量子芯片

授权

摘要

一种半导体量子芯片包括：衬底(101)；纯化硅层(102)，其形成在衬底(101)上；二氧化硅层(103)，其形成在纯化硅层(102)上，二氧化硅层(103)上开设有至少五个离子注入区域(200)，至少五个离子注入区域(200)设有欧姆接触窗口，欧姆接触窗口制备有欧姆接触电极(300)；绝缘层(400)，其形成在二氧化硅层(103)上，裸露出欧姆接触电极；顶层金属电极(500)，其形成在绝缘层(400)上。该芯片中高质量纯化硅的应用，提升了半导体量子芯片的性能。

基本信息

专利标题：

半导体量子芯片

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201920623000.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-04-30

授权号：

CN210006742U

授权日：

2020-01-31

发明人：

李海欧井方铭王柯罗刚王桂磊郭国平

申请人：

中国科学技术大学

申请人地址：

安徽省合肥市包河区金寨路96号

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

周天宇

优先权：

CN201920623000.5

主分类号：

H01L29/66

IPC分类号：

H01L29/66