半导体栅极电控量子点
授权
摘要
一种半导体栅极电控量子点，包括：衬底(101)；二氧化硅层(102)，其形成在衬底(101)上，二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)及量子点大电极(400)，离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300)，二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500)，其中，量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连；绝缘层(600)，其形成在二氧化硅层(102)上，只覆盖量子点区域，其中，量子点区域包括量子点小电极(500)、量子点大电极(400)的内部区域和离子注入区域(200)的内部区域。该半导体栅极电控量子点只保留量子点区域的氧化铝绝缘层，解决了传统硅半导体材料空穴型量子点中出现的本底电流问题。
基本信息
专利标题 ：
半导体栅极电控量子点
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920622930.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-30
授权号 ：
CN209896068U
授权日 ：
2020-01-03
发明人 ：
李海欧胡睿梓王柯张鑫罗刚郭国平
申请人 ：
中国科学技术大学
申请人地址 ：
安徽省合肥市包河区金寨路96号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周天宇
优先权 ：
CN201920622930.9
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/423
法律状态
2020-01-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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