半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构，其特征在于，其中包括：一下势垒层，该下势垒层是下述量子阱层的势垒；一量子阱层，该量子阱层位于下势垒层上面，并且该量子阱层的带隙小于上述下势垒层以及下述间隔势垒层的带隙；一间隔势垒层，该间隔势垒层位于量子阱层上面，该间隔势垒层同时作为上述量子阱层和下述量子点层的势垒将量子阱层与量子点层分开；一量子点层，该量子点层位于间隔势垒层上面，在上述间隔势垒层与下述上势垒层共同作用下，在该量子点层内将形成三维量子化的分立能级；一上势垒层，该上势垒层位于量子点层上面，是量子点层的势垒。
基本信息
专利标题 ：
半导体量子点/量子阱导带内跃迁材料结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101038946A
申请号 ：
CN200610064882.3
公开（公告）日 ：
2007-09-19
申请日 ：
2006-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金鹏王占国
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
100083北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汤保平
优先权 ：
CN200610064882.3
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L31/00 H01S5/34
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-11-14 ：
实质审查的生效
2007-09-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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