纵型栅极半导体装置及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明公开了一种纵型栅极半导体装置及其制造方法。目的在于：提供一种在不增大源极区域的接触电阻的情况下，可谋求小型化的纵型栅极半导体装置及其制造方法。发挥晶体管作用的第1区域11，具有：漏极区域111、形成在漏极区域111上侧的体区域112、形成在体区域112上侧的源极区域113A、和形成在体区域112中且被埋入了栅极电极120的沟渠。在延在于第2区域12的体区域112的上侧形成有源极区域113B。构成沟渠的上缘部的源极区域113A、113B形成为带圆弧状的形状。
基本信息
专利标题 ：
纵型栅极半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1812127A
申请号 ：
CN200510129535.X
公开（公告）日 ：
2006-08-02
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
沟口修二角田一晃
申请人 ：
松下电器产业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
汪惠民
优先权 ：
CN200510129535.X
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2010-01-13 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-01-30 ：
实质审查的生效
2006-08-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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