堆叠型半导体装置及其制造方法
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摘要
本发明的目的在于提供一种能够实现制造成品率的提高的堆叠型半导体装置，此外，提供该堆叠型半导体装置的制造方法。本发明为由多个半导体芯片、备用半导体芯片、控制芯片堆叠而成的堆叠型半导体装置，所述备用半导体芯片用于作为所述半导体芯片的备品来使用，所述控制芯片对所述多个半导体芯片的工作状态和所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。在这种结构中，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片包含非接触通信部和工作开关，所述半导体芯片以及所述备用半导体芯片能够通过所述非接触通信部与其它所述半导体芯片进行非接触式通信，所述控制芯片通过切换所述半导体芯片的所述工作开关来对所述半导体芯片的工作状态进行控制，通过切换所述备用半导体芯片的所述工作开关来对所述备用半导体芯片的工作状态进行控制。
基本信息
专利标题 ：
堆叠型半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108701487A
申请号 ：
CN201680079361.7
公开（公告）日 ：
2018-10-23
申请日 ：
2016-12-22
授权号 ：
CN108701487B
授权日 ：
2022-05-06
发明人 ：
山田康利上村浩二安达隆郎
申请人 ：
超极存储器股份有限公司
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
袁波
优先权 ：
CN201680079361.7
主分类号 ：
G11C29/00
IPC分类号 ：
G11C29/00 G11C5/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C29/00
存储器正确运行的校验；备用或离线操作期间测试存储器
法律状态
2022-05-06 ：
授权
2018-11-16 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 29/00
申请日 : 20161222
申请日 : 20161222
2018-10-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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