一种堆叠态半导体芯片结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种堆叠态半导体芯片结构，本实用新型堆叠态半导体芯片结构，包括基板，在基板上依次堆叠设置P型半导体层和N型半导体层，P型半导体层和N型半导体层相间设置，P型半导体层至少为2层，N型半导体层至少为2层。本实用新型通过化学气相沉积法来堆叠形成P型半导体层和N型半导体层，并且采用物理刻蚀和电浆清洗的方式形成导电层，避免使用掩膜、光阻剂、光刻机来制造半导体芯片，降低了半导体芯片工艺复杂性，提高了半导体芯片产品的良率。
基本信息
专利标题 ：
一种堆叠态半导体芯片结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022035136.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN213483708U
授权日 ：
2021-06-18
发明人 ：
涂波郑香奕
申请人 ：
深圳市洁简达创新科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区龙华街道清湖社区清湖村富安娜公司B栋601
代理机构 ：
广东合方知识产权代理有限公司
代理人 ：
许建成
优先权 ：
CN202022035136.X
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/02 H01L21/3213
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2021-06-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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