具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

MISFET(10)包括：p型衬底(1)，具有杂质浓度C的沟道区域(20)；绝缘膜(11)，形成在沟道区域(20)上且由SiO₂构成；绝缘膜(12)，形成在绝缘膜(11)上且由HfSiON构成。设想另一MISFET，该MISFET包括：衬底，具有杂质浓度C的沟道区域，由与衬底(1)相同的材质构成；以及绝缘膜，形成在沟道区域上且只由SiON构成，设定沟道区域(20)的杂质浓度C，以便使沟道区域(20)中的电子迁移率的最大值变得比沟道区域中的电子迁移率的最大值高。由此，可降低电源电压，并降低功耗。

基本信息

专利标题：

具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1835238A

申请号：

CN200610059663.6

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-03-17

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

水谷齐治井上真雄由上二郎土本淳一野村幸司岛本泰洋

申请人：

株式会社瑞萨科技

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明

优先权：

CN200610059663.6

主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/088 H01L29/78 H01L29/51 H01L21/8232 H01L21/336