绝缘栅型半导体装置及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种绝缘栅型半导体装置及其制造方法，为降低槽型MOSFET的电容，在槽底部形成绝缘膜构成的电容层的方法是众所周知的。但是，绝缘膜的电容层难于实现稳定的形成。由非掺杂多晶硅形成电容层。和由绝缘膜形成的电容层不同，可抑止接缝的产生等，可形成稳定的电容层。另外作为电容层使用的多晶硅也可以是掺杂的多晶硅，由于形成于多晶硅表面的氧化膜也作为电容层起作用，故可提供低电容的绝缘栅型器件。

基本信息

专利标题：

绝缘栅型半导体装置及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1770468A

申请号：

CN200510107043.0

公开（公告）日：

2006-05-10

申请日：

2005-09-27

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

久保博稔东条润一郎斋藤洋明恩田全人岩田哲柳田正道

申请人：

三洋电机株式会社

申请人地址：

日本大阪府

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李贵亮

优先权：

CN200510107043.0

主分类号：

H01L29/78

IPC分类号：

H01L29/78 H01L21/336