半导体器件中双栅侧壁的制造方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
半导体器件中双栅侧壁的制造方法，包括：步骤1，形成栅；步骤2，淀积氮化硅(SiN)构成的第一栅侧壁；步骤3，淀积氧化硅(SiO)构成的第二栅侧壁；步骤4，干腐蚀所淀积的氮化硅(SiN)构成的第一栅侧壁和所淀积的氧化硅(SiO)构成的第二栅侧壁，在外围区形成包括氮化硅(SiN)第一栅侧壁和氧化硅(SiO)第二栅侧壁的双栅侧壁隔离层；步骤5，湿腐蚀除去单元区中的氧化硅(SiO)第二栅侧壁；步骤6，干腐蚀，使单元区中的氮化硅(SiN)第一栅侧壁形成单栅侧壁隔离层。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件中双栅侧壁的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949479A
申请号 ：
CN200510030382.3
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李奉载
申请人 ：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请人地址 ：
201203上海市浦东新区张江路18号
代理机构 ：
上海新高专利商标代理有限公司
代理人 ：
楼仙英
优先权 ：
CN200510030382.3
主分类号 ：
H01L21/8232
IPC分类号 ：
H01L21/8232 H01L21/8242
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
法律状态
2009-06-03 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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