制造具有钨栅电极的半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
在此披露的是制造半导体器件的方法。该方法包括步骤：在半导体衬底上形成栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜；构图栅极氧化膜、多晶硅膜和氮化物膜以形成多晶硅栅极；在多晶硅栅极的侧面形成分隔体；在整个表面上形成牺牲氮化物膜；然后在整个表面上形成层间绝缘膜；抛光在层间绝缘膜上形成的牺牲氮化物膜及多晶硅栅极从而暴露氮化物膜；在去除氮化物膜时去除牺牲氮化物膜的顶部部分；在通过氮化物膜的去除而暴露的侧面形成绝缘膜分隔体；利用绝缘膜填充从其去除了牺牲氮化物膜的部分；以及在从其去除了氮化物膜的部分中形成钨栅极。
基本信息
专利标题 ：
制造具有钨栅电极的半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1870231A
申请号 ：
CN200510136225.0
公开（公告）日 ：
2006-11-29
申请日 ：
2005-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑哲谟赵挥元金正根
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136225.0
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/283
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2015-02-18 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599309558
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101362250
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20131223
号牌文件序号 : 101599309558
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2005101362250
申请日 : 20051223
授权公告日 : 20090527
终止日期 : 20131223
2009-05-27 ：
授权
2007-01-24 ：
实质审查的生效
2006-11-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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