具有阶梯栅的半导体器件及其制造方法
专利权的终止
摘要
半导体器件，包括：基片，包括第一有源区以及具有比所述第一有源区更高的高度的第二有源区；栅图案，具有阶梯结构，其形成于所述第一有源区和所述第二有源区之间的边界区上；所述栅图案从所述第一有源区的预定部分延伸到所述第二有源区的预定部分；栅间隔物，形成于所述栅图案的两个侧壁上；第一单元结，形成于一个栅间隔物处的所述第一有源区中，并连接到存储节点接触；第二单元结，形成于另一栅间隔物处的所述第二有源区中，并连接到位线接触。
基本信息
专利标题 ：
具有阶梯栅的半导体器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822387A
申请号 ：
CN200510003583.4
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑台愚吴尚源
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510003583.4
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336 H01L21/28
法律状态
2018-02-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 29/423
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20161230
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20161230
2009-08-19 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN100530681C.PDF
PDF下载
2、
CN1822387A.PDF
PDF下载
