制造具有侧壁间隔层的半导体器件的方法

专利权的终止

摘要

本发明涉及半导体器件制造方法。在晶片10的隔离膜16中的元件开口16a和16b中形成不同厚度的栅极绝缘膜12A和12B。栅极绝缘膜12B为最薄栅极绝缘膜。厚度与最薄栅极绝缘膜12B相同的虚设绝缘膜形成在晶片周边区域WP中。栅极电极20A和20B形成在栅极绝缘膜12A和12B上，其后在晶片表面上沉积绝缘膜。干法蚀刻所沉积的绝缘膜，从而在栅极电极20A和20B的侧壁上形成侧壁间隔层22a至22d。在干法蚀刻期间，通过蚀刻副产物发射谱强度的变化探测元件开口16b和区域WP中暴露出半导体表面的时间作为蚀刻终点。

基本信息

专利标题：

制造具有侧壁间隔层的半导体器件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819126A

申请号：

CN200610006113.8

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-16

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

铃木民人

申请人：

雅马哈株式会社

申请人地址：

日本静冈县

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

李晓舒

优先权：

CN200610006113.8

主分类号：

H01L21/336

IPC分类号：

H01L21/336