半导体器件和制造所述半导体器件的方法
授权
摘要
本发明的目的是在一个工艺中以更少的处理步骤制造具有小尺寸LDD区域的TFT，并且独立制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。依照本发明，栅电极是多层的，并且通过使得下层栅电极的栅极长度比上层栅电极的栅极长度长而形成帽形栅电极。此时，利用抗蚀剂凹口宽度使得仅上层栅电极被蚀刻以形成帽形栅电极。因此，也可在精细TFT中形成LDD区域；因此，可独立地制造出具有由每种电路而定的结构的TFT。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件和制造所述半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1790748A
申请号 ：
CN200510118686.5
公开（公告）日 ：
2006-06-21
申请日 ：
2005-11-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山口真弓矶部敦生斋藤晓
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510118686.5
主分类号 ：
H01L29/786
IPC分类号 ：
H01L29/786 H01L21/336
法律状态
2012-08-08 ：
授权
2008-01-02 ：
实质审查的生效
2006-06-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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