半导体器件、SRAM以及半导体器件的制造方法

专利权的终止

摘要

提供一种能够容易地在窄的有源区上设置接触部的工序的半导体器件和半导体器件等。本发明的半导体器件包括SOI衬底10、有源区3a、第一绝缘膜(完全分离绝缘膜)3b、第二绝缘膜(部分分离绝缘膜)3c和接触部4。这里，有源区3a形成在SOI层3的表面内。此外，第一绝缘膜3b在有源区3a的一侧形成，并且从SOI层3的表面形成至掩埋绝缘膜2。此外，第二绝缘膜3c在有源区3a的另一侧形成，并且从SOI层3的表面开始形成至未到达掩埋绝缘膜2的预定深度。此外，根据平面视图，接触部4相对于有源区3a的中心在第一绝缘膜3b存在的一侧设置。

基本信息

专利标题：

半导体器件、SRAM以及半导体器件的制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1770477A

申请号：

CN200510129125.5

公开（公告）日：

2006-05-10

申请日：

2005-10-21

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

平野有一一法师隆志

申请人：

株式会社瑞萨科技

申请人地址：

日本东京都

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

浦柏明

优先权：

CN200510129125.5

主分类号：

H01L29/786

IPC分类号：

H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336

法律状态

2014-12-10 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101591310994
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005101291255
申请日 : 20051021
授权公告日 : 20091202
终止日期 : 20131021

2010-11-10 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101038388325
IPC(主分类) : H01L 29/786
专利号 : ZL2005101291255
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 株式会社瑞萨科技
变更后权利人 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 日本东京都
变更后权利人 : 日本神奈川县川崎市
登记生效日 : 20100925

2009-12-02 ：

授权

2007-12-26 ：

实质审查的生效

2006-05-10 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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