形成具有特定尺寸的闸极侧壁间隔件之半导体配置的方法

专利权的终止

摘要

在多晶硅栅电极形成具有特定尺寸的间隔件的方法系于选择性外延生长期间保护多晶硅栅电极侧壁。不论间隔件是对称或非对称，本方法均能在严格的对准规格下，用界定多晶硅栅电极图案及图案间隔件的相同特定曝光工具(例如193nm波长之步进扫描式曝光工具)及相同的图案标线片，精确地界定间隔件。

基本信息

专利标题：

形成具有特定尺寸的闸极侧壁间隔件之半导体配置的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101073143A

申请号：

CN200580039217.2

公开（公告）日：

2007-11-14

申请日：

2005-11-29

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

M·C·克林D·邦瑟S·达克希那－穆尔蒂A·野村

申请人：

先进微装置公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司

代理人：

戈泊

优先权：

CN200580039217.2

主分类号：

H01L21/28

IPC分类号：

H01L21/28 G03F9/00 H01L21/027 H01L21/336

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/28

用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的

法律状态

2018-01-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20051129
授权公告日 : 20090204
终止日期 : 20161129

2010-09-08 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101007447261
IPC(主分类) : H01L 21/28
专利号 : ZL2005800392172
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 先进微装置公司
变更后权利人 : 格罗方德半导体公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国加利福尼亚州
变更后权利人 : 英属开曼群岛大开曼岛
登记生效日 : 20100730

2009-02-04 ：

授权

2008-01-16 ：

实质审查的生效

2007-11-14 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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