带半导体间隔件的鳍式晶体管
公开
摘要
本发明题为“带半导体间隔件的鳍式晶体管”。在一般方面，晶体管可以包括具有近端和远端的鳍片。该鳍片可以包括在近端与远端之间纵向延伸的介电部分，以及设置在介电部分上的半导体层。该半导体层可以在近端与远端之间纵向延伸。该晶体管还可包括设置在鳍片的近端处的源极区，以及设置在鳍片的远端处的漏极区。该晶体管还可包括设置在半导体层的沟道区上的栅极介电层。沟道区可以设置在栅极介电层与介电部分之间。沟道区可以纵向设置在源极区与漏极区之间。晶体管还可包括设置在栅极介电层上的导电栅极电极。
基本信息
专利标题 ：
带半导体间隔件的鳍式晶体管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597248A
申请号 ：
CN202111456312.X
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2021-12-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·P·冈比诺K·A·斯图尔特P·莫恩斯D·T·普赖斯D·欧曼
申请人 ：
半导体元件工业有限责任公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
秦晨
优先权 ：
CN202111456312.X
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/10 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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